一、產(chǎn)品介紹
CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué),科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。具體包括:(1) 介電材料(SiO2、SiNx等)
(2) 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
(3) III-V材料(GaAs、InP、GaN等)
(4) 濺射金屬(Au、Pt、Ti、Ta、W等)
(5) 類金剛石(DLC)
二、產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 7寸彩色觸摸屏互動(dòng)操作界面,圖形化用戶操作界面顯示,自動(dòng)監(jiān)測(cè)工藝參數(shù)狀態(tài),20個(gè)配方程序,可存儲(chǔ)、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù),機(jī)器運(yùn)行、停止提示。
2. PLC工控機(jī)控制整個(gè)清洗過(guò)程,手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式。
3. 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì),耐腐蝕無(wú)污染。
4. 采用防腐數(shù)字流量計(jì),實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng),可選多氣路氣體輸送系統(tǒng),氣體分配均勻?奢斎胙鯕、氬氣、氮?dú)、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。
5. 采用花灑式多孔進(jìn)氣方式,改變傳統(tǒng)等離子清洗機(jī)單孔進(jìn)氣不均勻問(wèn)題。
6. HEPA高效過(guò)濾,氣體返填吹掃,防止二次污染。
7. 符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計(jì),操作方便,界面友好。
8. 采用頂置真空倉(cāng),上開(kāi)蓋設(shè)計(jì),下壓式鉸鏈開(kāi)關(guān)方式。
9. 上置式360度水平取放樣品設(shè)計(jì),符合人體功能學(xué),操作更方便。
10. 有效處理面積大,可處理大直徑200mm晶元硅片。
11. 安全保護(hù),倉(cāng)門(mén)打開(kāi),自動(dòng)關(guān)閉電源。
三、技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | RIE200 | RIE200plus |
艙體內(nèi)尺寸 | H38xΦ260mm | H38xΦ260mm |
艙體容積 | 2L | 2L |
射頻電源 | 40KHz | 13.56MHz |
電 | 不銹鋼氣浴RIE電,Φ200mm | 不銹鋼氣浴RIE電,Φ200mm |
匹配器 | 自動(dòng)匹配 | 自動(dòng)匹配 |
刻蝕方式 | RIE | RIE |
射頻功率 | 10-300W可調(diào)(可選10-1000W) | 10-300W可調(diào)(可選10-600W) |
氣體控制 | 質(zhì)量流量計(jì)(MFC)(標(biāo)配雙路,可選多路)流量范圍0-500SCCM(可調(diào)) |
工藝氣體 | Ar、N₂、O₂、H₂、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合氣體等(可選) |
大處理尺寸 | ≤Φ200mm |
時(shí)間設(shè)定 | 1-99分59 |
真空泵 | 抽速約8m3/h |
氣體穩(wěn)定時(shí)間 | 1分鐘 |
限真空 | ≤1Pa |
電 源 | AC220V 50-60Hz,所有配線符合《低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設(shè)計(jì)規(guī)范》等國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。 |
關(guān)鍵詞:
RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
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公司已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng),軟件著作權(quán) 14 項(xiàng),是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。