等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
應(yīng)用方向:高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅,用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途;用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕
的研制和生產(chǎn)。 更多詳細(xì)化學(xué)氣相沉積MOCVD
MOCVD設(shè)備是通過將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式,經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室,進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長出薄膜材料。應(yīng)用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, 更多詳細(xì)低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)LPCVD
1.滿足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求
2.直徑200毫米的石英室
3.內(nèi)部石英管的設(shè)計(jì)便于拆卸和清洗
4.基片尺寸可達(dá)直徑150毫米
5.三區(qū)電阻爐,150毫米的均 更多詳細(xì)部件鍍膜設(shè)備
實(shí)現(xiàn)高大量生產(chǎn)率的高真空基礎(chǔ)In-line Sputter 更多詳細(xì)