其他產(chǎn)品及廠家
實(shí)驗(yàn)室氫氣發(fā)生器 （非免維護(hù)臺(tái)式機(jī)）,采用領(lǐng)先業(yè)內(nèi)pem技術(shù)電解純水制氫，無(wú)需用堿，無(wú)腐蝕無(wú)污染。 氫氣純度高99.999％，流量穩(wěn)定，壓力采用一體化的控制.
更新時(shí)間:2025-08-25
日本rigaku x射線熒光分析儀 waferx 310, 通過(guò)x射線以大角度照射在鍍膜的硅片樣品上,產(chǎn)生鍍膜 樣品的相應(yīng)特征x射線的方法，進(jìn)而分析測(cè)量硅片樣品的 鍍膜厚度。
更新時(shí)間:2025-08-25
硅片金屬雜質(zhì)分析系統(tǒng) expert,全自動(dòng)汽車掃描系統(tǒng)與真空二次離子質(zhì)譜法（vpd-icp-ms）結(jié)合，為硅片金屬雜質(zhì)分析提供了高效的解決方案。系統(tǒng)具備多個(gè)型號(hào)，包括適用于實(shí)驗(yàn)室和工廠自動(dòng)化的expert_lab、expert_ps和expert_fab。這些系統(tǒng)支持多種掃描模式，如全掃描、徑向掃描和傾斜掃描，可實(shí)現(xiàn)從大容量蝕刻到深度輪廓測(cè)量的全 面分析。
更新時(shí)間:2025-08-25
lagm激光剝蝕多通道原子吸收光譜系統(tǒng)采用飛秒激光和電流計(jì)鏡，可精確燒蝕 300 毫米晶圓樣品，無(wú)需小型封閉腔室。系統(tǒng)配備雙注射器模型 msag_ds，支持標(biāo)準(zhǔn)加入法進(jìn)行定量分析，具備點(diǎn)和面傾斜度、輪廓及雜質(zhì)分析功能。系統(tǒng)能全自動(dòng)操作，支持多種分析模式如全掃描、斑點(diǎn)、直線、塊模式及深度剖面模式，適用于晶圓和非晶圓樣品的全 面分析。
更新時(shí)間:2025-08-25
msag金屬標(biāo)準(zhǔn)氣霧劑生成系統(tǒng)，是一種用于納米顆粒分析及直接氣體分析的重要工具，尤其適用于電感耦合等離子體質(zhì)譜法（icp-ms）。該設(shè)備能夠以0至3μl/min的速度將混合金屬標(biāo)準(zhǔn)溶液引入霧化器，確保了高靈敏度和準(zhǔn)確性。通過(guò)msgg裝置監(jiān)測(cè)icp-ms靈敏度變化，并利用鉬氣態(tài)標(biāo)準(zhǔn)作為內(nèi)標(biāo)。
更新時(shí)間:2025-08-25
csi 連續(xù)化學(xué)品檢測(cè)系統(tǒng)：化學(xué)敏感儀器監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體晶圓廠使用的化學(xué)物質(zhì)，通過(guò)連續(xù)化學(xué)采樣檢測(cè)（csi）系統(tǒng)監(jiān)測(cè)微量金屬雜質(zhì)，以避免器件故障。系統(tǒng)采用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（icp-ms）對(duì)化學(xué)品進(jìn)行24/7的連續(xù)監(jiān)測(cè)，包括液相（lt）和氣溶膠相（at）兩種樣品運(yùn)輸方式。l
更新時(shí)間:2025-08-25
化學(xué)分析實(shí)驗(yàn)室采用連續(xù)化學(xué)采樣檢測(cè)系統(tǒng)（csi）監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體工藝中的化學(xué)品，以檢測(cè)微量金屬雜質(zhì)。該系統(tǒng)使用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（icp-ms）進(jìn)行24/7的連續(xù)監(jiān)測(cè)，確；瘜W(xué)品在運(yùn)輸和更換過(guò)濾器過(guò)程中不受污染。在線接口軟件（ois）控制閥門、自動(dòng)進(jìn)樣器和icp-ms，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)校準(zhǔn)和質(zhì)量控制。該系統(tǒng)能夠生成濃度和計(jì)數(shù)趨勢(shì)圖，并具備自動(dòng)重新分析功能。
更新時(shí)間:2025-08-25
氣體電離探測(cè)器（ged）是一種用于測(cè)量氣體中金屬顆粒濃度的技術(shù)，尤其適用于半導(dǎo)體行業(yè)中特殊氣體的分析。該系統(tǒng)通過(guò)一個(gè)高效的膜來(lái)交換氣體，使得樣品氣體中的金屬顆粒能在無(wú)需預(yù)處理的情況下直接引入到電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（icp-ms）中進(jìn)行高靈敏度分析。
更新時(shí)間:2025-08-25
asas ii自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)添加系統(tǒng)通過(guò)自動(dòng)制備校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)溶液，提升了電感耦合等離子體（icp）分析的效率與精度。該系統(tǒng)采用非接觸式光流傳感器和高精度注射泵，實(shí)現(xiàn)微量標(biāo)準(zhǔn)溶液的精 準(zhǔn)添加。其無(wú)閥門設(shè)計(jì)及全氟聚合物材質(zhì)確保了系統(tǒng)的高效與耐用性。
更新時(shí)間:2025-08-25
自動(dòng)進(jìn)樣稀釋模塊asdm專為icp自動(dòng)進(jìn)樣器設(shè)計(jì)，支持2至1000倍的樣品溶液稀釋，配備兩種型號(hào)以適應(yīng)不同溶液類型。該模塊可自動(dòng)添加標(biāo)準(zhǔn)溶液，并能同時(shí)清洗稀釋探頭及準(zhǔn)備下一個(gè)稀釋樣品。asdm提供10ml注射器進(jìn)行2-20倍稀釋，或兩支注射器進(jìn)行50-1000倍稀釋。
更新時(shí)間:2025-08-25
德國(guó)eberl 多波束電子束 octoplus 1000, 用于大 12 英寸基底 sige 外延生長(zhǎng)的 mbe 系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-08-25
德國(guó) eberl 的多波束電子束octoplus 1000系統(tǒng)，專為最大12英寸sige外延生長(zhǎng)設(shè)計(jì)，適用于mbe（分子束外延）工藝。該系統(tǒng)提供高效、高精度的沉積技術(shù)，確保高質(zhì)量薄膜的生長(zhǎng)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。
更新時(shí)間:2025-08-25
. 在垂直入射角的無(wú)接觸、光學(xué)反射測(cè)量，表征薄膜和大塊材料.光譜范圍從200到1000 nm. 功能強(qiáng)大的、獨(dú)特的分析軟件包ftpadv expert. 高穩(wěn)定的氘燈和鹵素鎢燈光源. 高精度的樣品準(zhǔn)直，帶光學(xué)自動(dòng)準(zhǔn)直透鏡act和顯微鏡
更新時(shí)間:2025-08-25
盒式裝載紫外線臭氧清洗設(shè)備 uv-300hc雙盒式生產(chǎn)系統(tǒng)，是一款高性能的盒式裝載uv臭氧清洗機(jī)，用于生產(chǎn)。這個(gè)系統(tǒng)有2個(gè)裝載盒，可以達(dá)到200-300nm/min的高灰化率。該系統(tǒng)利用紫外線照射、高濃度臭氧和可控階段加熱的獨(dú)特組合，溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體（gan、sic、gaas和inp）、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
更新時(shí)間:2025-08-25
紫外線臭氧清洗機(jī) uv-300h，200 - 300 nm/min的高灰化率,是一款高性能的緊湊型紫外線臭氧清洗機(jī)。通過(guò)滑動(dòng)抽屜將基材裝入系統(tǒng)中。紫外線照射、高濃度臭氧和階段性加熱的獨(dú)特組合，可溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體（gan、sic、gaas、inp）、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
更新時(shí)間:2025-08-25
日本samco紫外臭氧清洗機(jī) uv-1, 是一款緊湊型臺(tái)式紫外線臭氧清洗機(jī)。該系統(tǒng)將紫外線照射、臭氧和平臺(tái)加熱獨(dú)特地結(jié)合在一起，溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體（gan、gaas、inp、sic）、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
更新時(shí)間:2025-08-25
eda 407專為光電子器件的質(zhì)量控制而設(shè)計(jì)■ 從密封封裝中進(jìn)行精確氣體分析■ 氣體成分的直觀分析■ 簡(jiǎn)明易用的軟件套件■ 全自動(dòng)化的氣體進(jìn)樣系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-08-25
高粘度樣品用液中粒子傳感器xp-65/ks-42c（改）無(wú)需稀釋即可測(cè)量原液（可達(dá)6000 cp）。支持在線和離線測(cè)量。廣泛的可測(cè)粒徑范圍xp-65：0.2μm～1.0μm，ks-42c（改）：0.5μm～20μm
更新時(shí)間:2025-08-25
tl系列激光開(kāi)封機(jī)通過(guò)激光能量的調(diào)節(jié)控制，去除封裝電子器件的塑膠層。用于觀察電子器件內(nèi)部焊線偏移，焊線交叉短路，倒裝焊焊球虛焊，倒裝焊焊球短路，焊線斷裂，焊線脫離等封裝缺陷。
更新時(shí)間:2025-08-25
美rkd激光開(kāi)封機(jī)ra-9000簡(jiǎn)單方便進(jìn)行半導(dǎo)體塑料封裝去屑，露出基板上的引線框架。完全圖形化的使用者操作介面，簡(jiǎn)易的進(jìn)行控制操作。輕易達(dá)成整面或定點(diǎn)，平整的塑料開(kāi)封作業(yè)。大量減低化學(xué)開(kāi)封的用酸量及時(shí)間，並將開(kāi)封成功率地大比率提升。
更新時(shí)間:2025-08-25
德國(guó)pva tepla 超聲波掃描顯微鏡 sam 301, 利用材料內(nèi)部組織因密度不同而對(duì)超聲波聲阻抗、超聲波吸收與反射程度產(chǎn)生差異的特點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)材料內(nèi)部缺陷的定性分析，在半導(dǎo)體封裝及材料等行業(yè)中得到廣泛應(yīng)用？煞直娉霾牧、元器件內(nèi)部的裂紋、空洞、氣泡、分層缺陷、雜質(zhì)等；廣泛用于測(cè)試各種元器件、smt焊接器件、igbt器件、mems器件、晶圓鍵合等內(nèi)部缺陷的無(wú)損檢測(cè)
更新時(shí)間:2025-08-25
fr-es 是一款輕巧便捷的膜厚測(cè)量分析系統(tǒng), 能測(cè)量各種厚度范圍的透明和半透明涂層以及薄金屬層.fr-es 是 實(shí)驗(yàn)室里 的 理想 配置。fr-es 可以在各種光譜范圍內(nèi)執(zhí)行反射率和透射率測(cè)量。
更新時(shí)間:2025-08-25
超高純氫氣發(fā)生器 （免維護(hù)版柜式機(jī)）hxcn-h-m0.6,hxcn-h-m1.2,hxcn-h-m5,hxcn-h-m10，采用pem技術(shù)電解純水制氫，無(wú)需用堿直接電解純水，無(wú)腐蝕無(wú)污染。 國(guó)外高 端制氫機(jī)優(yōu)先替代者 氫氣純度高(99.9999％)5個(gè)9到7個(gè)9可選，流量穩(wěn)定，壓力采用一體化的控制。
更新時(shí)間:2025-08-25
huace650t高低溫冷熱臺(tái)（可定制）由華測(cè)儀器多位工程師多年開(kāi)發(fā)，冷熱臺(tái)可配合阻抗分析儀、高阻計(jì)、電化學(xué)工作站、數(shù)字原表設(shè)備進(jìn)行功能材料電學(xué)的相關(guān)測(cè)試，采用直接聯(lián)接測(cè)試儀表以減少測(cè)試導(dǎo)線的影響，同時(shí)電極加熱采用直流電極加熱方式，減少電網(wǎng)諧波對(duì)測(cè)量?jī)x表的干擾。
更新時(shí)間:2025-08-25
華測(cè)儀器的hc-rd-1100可以同時(shí)測(cè)定樣品在rt至1500°c溫度范圍內(nèi)的塞貝克系數(shù)和電阻率。熱功率、熱電勢(shì)、或塞貝克系數(shù)描述的都是材料在一定溫差條件下產(chǎn)生感應(yīng)熱電電壓的大小，單位是v/k。
更新時(shí)間:2025-08-25
華測(cè)儀器的hc-rd-1100可以同時(shí)測(cè)定樣品在rt至1500°c溫度范圍內(nèi)的塞貝克系數(shù)和電阻率。熱功率、熱電勢(shì)、或塞貝克系數(shù)描述的都是材料在一定溫差條件下產(chǎn)生感應(yīng)熱電電壓的大小，單位是v/k。
更新時(shí)間:2025-08-25
華測(cè)儀器的hc-rd-1100可以同時(shí)測(cè)定樣品在rt至1500°c溫度范圍內(nèi)的塞貝克系數(shù)和電阻率。熱功率、熱電勢(shì)、或塞貝克系數(shù)描述的都是材料在一定溫差條件下產(chǎn)生感應(yīng)熱電電壓的大小，單位是v/k。
更新時(shí)間:2025-08-25
huace fe-3000鐵電分析儀有著寬頻率響應(yīng)范圍及寬測(cè)試電壓范圍，該系統(tǒng)可廣泛地應(yīng)用于如各類鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、塊體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。采用模塊化設(shè)計(jì)的huace fe-3000具有強(qiáng)大擴(kuò)展性。在鐵電測(cè)試領(lǐng)域其高測(cè)試精度能力，在±200v的內(nèi)置電壓下，電滯回線測(cè)試頻率可高達(dá)270khz。
更新時(shí)間:2025-08-25
hcdjc系列電壓擊穿試驗(yàn)儀采用計(jì)算機(jī)控制，通過(guò)人機(jī)對(duì)話方式，完成對(duì)絕緣介質(zhì)的工頻電壓擊穿，可對(duì)試驗(yàn)過(guò)程中的各種數(shù)據(jù)進(jìn)行快速準(zhǔn)確的采集處理，支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)、顯示、打印一體化功能。
更新時(shí)間:2025-08-25
hcdjc系列電壓擊穿試驗(yàn)儀采用計(jì)算機(jī)控制，通過(guò)人機(jī)對(duì)話方式，完成對(duì)絕緣介質(zhì)的工頻電壓擊穿，可對(duì)試驗(yàn)過(guò)程中的各種數(shù)據(jù)進(jìn)行快速準(zhǔn)確的采集處理，支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)、顯示、打印一體化功能。
更新時(shí)間:2025-08-25
電聲脈沖法是一種無(wú)損的空間電荷測(cè)量技術(shù)。它用于描述聚合物絕緣材料內(nèi)部的空間電荷分布、積累及其整體行為。空間電荷測(cè)量系統(tǒng)正在成為評(píng)估直流絕緣應(yīng)用(尤其是高壓電纜)中的聚合物材料測(cè)試時(shí)不錯(cuò)的技術(shù)。實(shí)際上，經(jīng)過(guò)充分的評(píng)估，空間電荷的存在是導(dǎo)致高壓直流聚合物電纜過(guò)早失效的主要原因，而且也是防止此類電纜快速劣化的主要原因。
更新時(shí)間:2025-08-25
面對(duì)材料因結(jié)露、吸濕、電場(chǎng)環(huán)境等因素造成的絕緣不佳現(xiàn)象暨離子遷移現(xiàn)象，設(shè)備可有效簡(jiǎn)便評(píng)估因老化腐蝕現(xiàn)象引起的壽命及絕緣電阻劣化相關(guān)問(wèn)題。試驗(yàn)系統(tǒng)能夠模擬各式工業(yè)制品、零部件以及原材料在實(shí)際生產(chǎn)、使用、儲(chǔ)存和運(yùn)輸過(guò)程中的高壓伴隨著低溫、高溫、潮濕、干燥、高低溫濕熱交變、溫度變化速度快、溫度循環(huán)等環(huán)境因素中受的影響，以測(cè)試其功能、性能及壽命的完整性和牢靠性。
更新時(shí)間:2025-08-25
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率，配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源，相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高，測(cè)量量程更寬，可靠性更高，操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖，可廣泛用于壓電材料（壓電陶瓷、高分子）、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-08-25
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率，配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源，相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高，測(cè)量量程更寬，可靠性更高，操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖，可廣泛用于壓電材料（壓電陶瓷、高分子）、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-08-25
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率，配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源，相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高，測(cè)量量程更寬，可靠性更高，操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖，可廣泛用于壓電材料（壓電陶瓷、高分子）、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-08-25
1.鐵電的評(píng)價(jià)與測(cè)試2.壓電材料的評(píng)價(jià)與測(cè)試3.壓電陶瓷的評(píng)價(jià)與測(cè)試4.高分子的評(píng)價(jià)與測(cè)試5.相關(guān)器件性能的評(píng)價(jià)與測(cè)試
更新時(shí)間:2025-08-25
1.鐵電的評(píng)價(jià)與測(cè)試2.壓電材料的評(píng)價(jià)與測(cè)試3.壓電陶瓷的評(píng)價(jià)與測(cè)試4.高分子的評(píng)價(jià)與測(cè)試5.相關(guān)器件性能的評(píng)價(jià)與測(cè)試
更新時(shí)間:2025-08-25
桌上型hmds烘箱，小型hmds真空烤箱采用hmds涂布方法改變晶圓表面的親水性，從而增大晶圓表面的接觸角），增強(qiáng)光刻膠和晶圓的粘附力。
更新時(shí)間:2025-08-25
hmds氣相成底膜烘箱 真空hmds氣相烘箱應(yīng)用硅片、磷化銦lnp、砷化鎵gaas、鈮酸鋰linbo?、硫化鋅zns、掩膜版、玻璃、石英片、藍(lán)寶石、晶圓、碳化硅等第三代、第四代半導(dǎo)體材料等。
更新時(shí)間:2025-08-25
智能型無(wú)塵無(wú)氧烘箱 高溫氮?dú)鉄o(wú)氧pi烤箱 pi固化爐電子膠體固化：銀膠/bcb膠/光刻膠高溫固化（300-450℃）晶圓加工：退火處理、pi膜烘烤（±1℃波動(dòng)精度）陶瓷燒結(jié)：電子陶瓷材料無(wú)塵烘干（class100潔凈環(huán)境
更新時(shí)間:2025-08-25
硅烷沉積系統(tǒng) 硅烷氣相沉積設(shè)備 真空硅烷涂膠機(jī)是一種用于硅烷（siih?）作為前驅(qū)體的薄膜沉積設(shè)備，主要用于半導(dǎo)體、納米壓印脫模工藝、光伏（太陽(yáng)能電池）、顯示面板、玻璃、陶瓷納米材料等領(lǐng)域的材料制備。硅烷（sih?）因其高反應(yīng)性和低溫沉積特性，成為沉積非晶硅（a-si）、微晶硅（μc-si）、氮化硅（sin?）和氧化硅（sio?）等薄膜的關(guān)鍵化學(xué)品。
更新時(shí)間:2025-08-25
硅烷沉積設(shè)備 抗粘劑蒸鍍系統(tǒng) 納米壓印抗粘設(shè)備通過(guò)表面修飾的模板,可以大大降低模板與壓印聚合物層之間的相互作用力,在納米壓印過(guò)程中實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)較好的轉(zhuǎn)移,復(fù)制.
更新時(shí)間:2025-08-25
大型hmds真空烘箱 4門hmds真空烤箱 hmds硅烷蒸鍍機(jī)定制是半導(dǎo)體光刻工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，主要用于基片表面預(yù)處理，通過(guò)六甲基二硅氮烷（hmds）涂布增強(qiáng)光刻膠與基片的黏附性
更新時(shí)間:2025-08-25
桌上型無(wú)氧烘箱 實(shí)驗(yàn)高溫?zé)o氧固化爐 真空無(wú)氧烤箱專為高精度電子元件、ic/芯片、pi/bcb/cpi/bpo等膠水等材料設(shè)計(jì)的緊湊型固化設(shè)備，結(jié)合無(wú)氧環(huán)境與高效加熱技術(shù)，確保材料在固化過(guò)程中避免氧化。
更新時(shí)間:2025-08-25
華測(cè)超高速鐵電材料高壓放大器系列，是以我公司關(guān)于高電壓的多年經(jīng)驗(yàn)和經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)而完成的，架式高速高電壓的運(yùn)算放大器電源。zui高100khz的高速響應(yīng)，可以在與輸入波形成比例的正弦波、三角波、鋸波和矩形波中進(jìn)行高電壓輸出。從輸出電壓600v到20kv共19機(jī)種。
更新時(shí)間:2025-08-25
huace-dcs10kv電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)主要用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能。目常規(guī)的方法是通過(guò)電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)的能量密度，測(cè)試時(shí)，樣品的電荷是放回到高壓源上，而不是釋放到負(fù)載上，通過(guò)電滯回線測(cè)得的儲(chǔ)能密度一般會(huì)大于樣品實(shí)際釋放的
更新時(shí)間:2025-08-25
最新產(chǎn)品
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