HTG��MEMS���݃x--HTGϵ�����݃x

����(sh��)
��̖
HTG-30
�����p�S���x��
HTG-120
�����p�S���x��
HTG-300
�����p�S���x��
HTG-1200
�����p�S���x��
�y������ °/s
±30
±120
±300
±1200
�`���� mV/°/s
33.3
8.3
3.33
0.83
�`���Ȝض�ϵ��(sh��) %/��
0.02
0.03
0.03
0.04
��λV
1.2±0.1
1.2±0.1
1.2±0.1
1.2±0.1
��λ�ض�ϵ��(sh��) °/s/��
0.01
0.02
0.02
0.02
�Ǿ���%FS
±0.5
±1
±1
±1
����Hz
>40
��0-140Hz���{(di��o)��
>40
��0-140Hz���{(di��o)��
>40
��0-140Hz���{(di��o)��
>40
��0-140Hz���{(di��o)��
�����ܶ� °/s/√Hz
0.013
0.016
0.035
0.04
���늉�
2.8~3.5V
�������
7mA
�����ض�
-40~+85 ��
�惦�ض�
-50~+125 ��
���γߴ�
28*26*11 mm ���X���⚤,����ꖘO����̎����;
�͛_�����ٶ�
4000 g for 0.5 ms;
12000 g for 0.1 ms;

 
�a(ch��n)Ʒ��������ģʽ,����ģʽ���������С��10uA.
ԓ��˾�a(ch��n)Ʒ��� ���݃x

���µ�MEMS���݃x--HTGϵ�����݃x

 

 

����(sh��)

��̖

HTG-30

�����p�S���x��

HTG-120

�����p�S���x��

HTG-300

�����p�S���x��

HTG-1200

�����p�S���x��

�y������ °/s

±30

±120

±300

±1200

�`���� mV/°/s

33.3

8.3

3.33

0.83

�`���Ȝض�ϵ��(sh��) %/��

0.02

0.03

0.03

0.04

��λV

1.2±0.1

1.2±0.1

1.2±0.1

1.2±0.1

��λ�ض�ϵ��(sh��) °/s/��

0.01

0.02

0.02

0.02

�Ǿ���%FS

±0.5

±1

±1

±1

����Hz

>40

��0-140Hz���{(di��o)��

>40

��0-140Hz���{(di��o)��

>40

��0-140Hz���{(di��o)��

>40

��0-140Hz���{(di��o)��

�����ܶ� °/s/√Hz

0.013

0.016

0.035

0.04

���늉�

2.8~3.5V

�������

7mA

�����ض�

-40~+85 ��

�惦�ض�

-50~+125 ��

���γߴ�

28*26*11 mm ���X���⚤,����ꖘO����̎����;

�͛_�����ٶ�

4000 g for 0.5 ms;

ԓ��˾�a(ch��n)Ʒ��� ���݃x

���®a(ch��n)Ʒ

���T�x���� Һ��ɫ�V�x ����ɫ�V�x ԭ�ӟɹ���V�x ��Ҋ�ֹ���Ӌ Һ�|(zh��)“(li��n)�Ãx ����ԇ�C ���Ӌ��PHӋ�� �x�ęC �����x�ęC ����x�ęC �����@΢�R �����@΢�R �˜����|(zh��) ����ԇ��