化學(xué)氣相沉積設(shè)備產(chǎn)品及廠家

德國(guó)Netzsch 差示掃描量熱儀
德國(guó)netzsch 差示掃描量熱儀dsc 3500 sirius，該技術(shù)操作簡(jiǎn)便，分析快速，在研發(fā)、制造和質(zhì)量檢驗(yàn)域中逐漸成為不可取代的檢測(cè)技術(shù)。針對(duì)具體材料、產(chǎn)品的應(yīng)用和性能評(píng)估及解析，對(duì)應(yīng)有各種各樣的標(biāo)準(zhǔn)（如astm，din，iso等）。
更新時(shí)間:2025-06-14
CCQ 304不銹鋼氣動(dòng)超高真空插板閥
ccq氣動(dòng)超高真空插板閥是通過(guò)電磁換向閥改變氣路方向，控制執(zhí)行氣缸驅(qū)動(dòng)閥板作上下運(yùn)動(dòng)，達(dá)到閥門(mén)的開(kāi)啟或關(guān)閉。閥門(mén)用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質(zhì)為純凈空氣和非腐蝕性氣體。帶反饋信號(hào)裝置。 適用范圍：105～1.3×10-7pa 閥門(mén)漏率：≤1.3×10-8pa.l/s.
更新時(shí)間:2025-06-14
GI-KF 304不銹鋼卡箍連接手動(dòng)高真空蝶閥
gi-kf 手動(dòng)高真空卡箍蝶閥用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質(zhì)為純凈空氣和非腐蝕性氣體。 適用范圍：105~6.7x10-5pa 閥門(mén)漏率：≤1.3x10-5 pa.l/s.
更新時(shí)間:2025-06-14
GIQ 304不銹鋼氣動(dòng)高真空法蘭蝶閥
giq氣動(dòng)高真空蝶閥是通過(guò)電磁換向閥改變氣路方向，控制執(zhí)行氣缸驅(qū)動(dòng)蝶閥作啟閉運(yùn)動(dòng)。用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質(zhì)為純凈空氣和非腐蝕性氣體？蛇x配反饋信號(hào)裝置及電氣閥門(mén)定位器。適用范圍：105～1.3×10-4pa 閥門(mén)漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時(shí)間:2025-06-14
GID 304電動(dòng)高真空法蘭蝶閥
gid電動(dòng)高真空法蘭蝶閥 是以電動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)閥桿與閥板執(zhí)行啟閉動(dòng)作。用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質(zhì)為純凈空氣和非腐蝕性氣體。 適用范圍：105～1.3×10-4pa 閥門(mén)漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時(shí)間:2025-06-14
Appsilon MPCVD
appsilon mpcvd
更新時(shí)間:2025-06-14
臥式 LPCVD 氣相沉積系統(tǒng)
horic l200 系列 臥式 lpcvd 系統(tǒng)半導(dǎo)體客戶(hù)端機(jī)臺(tái)裝機(jī)量大
更新時(shí)間:2025-06-13
等離子 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
epee系列 等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)單片和多片式架構(gòu)，滿(mǎn)足量產(chǎn)和研發(fā)客戶(hù)需求 advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and r&d
更新時(shí)間:2025-06-13
化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 設(shè)備
pd-2201lc 是一種盒式裝載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (pecvd) 設(shè)備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)在節(jié)省空間的提下提供了pecvd的所有標(biāo)準(zhǔn)功能？稍谥睆220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。該系統(tǒng)是大規(guī)模生產(chǎn)用薄膜沉積的理想選擇，具有優(yōu)異的重復(fù)性。
更新時(shí)間:2025-06-13
無(wú)針孔薄膜沉積設(shè)備
al-1通過(guò)交替向反應(yīng)室提供有機(jī)金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜，實(shí)現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量。此外，可以在高寬比的孔內(nèi)壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜？赏瑫r(shí)沉積3片ø4英寸的晶片。
更新時(shí)間:2025-06-13
化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)
pd-220nl 是一種負(fù)載鎖定等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (pecvd) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了pecvd的所有標(biāo)準(zhǔn)功能？稍谥睆220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶(hù)友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。
更新時(shí)間:2025-06-13
化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)
pd-3800l是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（pecvd）系統(tǒng)。該系統(tǒng)由于采用了大型反應(yīng)室，并通過(guò)載盤(pán)裝載多片晶圓進(jìn)行批量處理，因此產(chǎn)量較高。在直徑360mm的區(qū)域內(nèi)可以沉積出具有優(yōu)異的厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶(hù)友好的觸摸屏界面用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。
更新時(shí)間:2025-06-13
化學(xué)氣相沉積等離子體CVD系統(tǒng)
pd-220n是用于沉積各種硅薄膜（sio2、si3n4等）的等離子體cvd系統(tǒng)。 pd-220n在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時(shí)，占地面積比本公司的傳統(tǒng)系統(tǒng)小40%。 從尖端研究到半大規(guī)模生產(chǎn)，它的應(yīng)用范圍很廣。
更新時(shí)間:2025-06-13
等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)
pd-200stl是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強(qiáng)型cvd系統(tǒng)。samco獨(dú)特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100μm）。pd-200stl具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì)，只需要小的潔凈室空間。
更新時(shí)間:2025-06-13
等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)
pd-270stlc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強(qiáng)cvd系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。samco獨(dú)特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。該系統(tǒng)通過(guò)采用大氣盒裝載和ø236毫米的托架實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)量，可安裝三個(gè)ø4英寸的晶圓。
更新時(shí)間:2025-06-13
等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)
pd-330stc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強(qiáng)cvd系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。samco獨(dú)特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。該系統(tǒng)通過(guò)采用大氣盒裝載和ø300毫米晶圓的優(yōu)良工藝均勻性，實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-06-13
等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)
pd-100st是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等離子體增強(qiáng)cvd系統(tǒng)。samco獨(dú)特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。pd-100st具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì)，只需要小的潔凈室空間。
更新時(shí)間:2025-06-13
碳化硅沉積系統(tǒng)
g10-碳化硅150 mm 和 200 mm – 支持雙晶圓尺寸 – 為您的未來(lái)投資提供保障市場(chǎng)上高的晶圓產(chǎn)量 / m2市場(chǎng)上晶圓出色的運(yùn)行過(guò)程性能高度均勻、低缺陷的 sic 外延工藝，可實(shí)現(xiàn)大的芯片良率
更新時(shí)間:2025-06-13
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)用于研發(fā)的封閉耦合淋浴噴頭® ccs系統(tǒng)“用于研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)的靈活mocvd系統(tǒng)”
更新時(shí)間:2025-06-13
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)“行星式反應(yīng)器模塊，用于在150/200毫米襯底（si/藍(lán)寶石/sic）上應(yīng)用氮化鎵，可提高生產(chǎn)率和晶圓性能”
更新時(shí)間:2025-06-13
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)aix g5 ww c“下一代碳化硅電力電子器件的佳性能，以應(yīng)對(duì)全球大趨勢(shì)”高吞吐量批量外延與單晶圓控制 - 兩全其美。
更新時(shí)間:2025-06-13
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)
化合物半導(dǎo)體沉積系統(tǒng)aix 2800g4-tm （ic2）“基于 gaas/inp 的光電子學(xué)和射頻應(yīng)用的 hvm 佳反應(yīng)器”
更新時(shí)間:2025-06-13
金屬有機(jī)源氣相沉積系統(tǒng)MOCVD
mocvd系統(tǒng)主要由真空室反應(yīng)系統(tǒng)、氣體（載氣與氣相有機(jī)源）輸運(yùn)控制系統(tǒng)、有機(jī)源蒸發(fā)輸運(yùn)控制系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全保護(hù)報(bào)警系統(tǒng)組成。
更新時(shí)間:2025-06-13
高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品概述：系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、熱絲架、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備用途：pecvd就是化學(xué)氣相沉積法，是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要
更新時(shí)間:2025-06-13
高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)
系統(tǒng)主要由3個(gè)真空沉積室（分別沉積p、i、n結(jié)）、1個(gè)進(jìn)樣室、1個(gè)中央傳輸室、平板式電、基片加熱臺(tái)、工作氣路、傳送機(jī)械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。
更新時(shí)間:2025-06-13
高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積及熱絲CVD系統(tǒng)
系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。本系統(tǒng)具有pecvd功能和熱絲cvd功能。
更新時(shí)間:2025-06-13
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備
適用于光電應(yīng)用的 lumina as/p 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積 (mocvd) 系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-06-13
金屬化學(xué)氣相沉積MOCVD
用于 5g、光子學(xué)和 cmos 的 propel 300mm gan mocvd 系統(tǒng)全自動(dòng)單晶圓簇系統(tǒng)可在 300 毫米基板上生產(chǎn) 5g 射頻、光子學(xué)和高 cmos 器件。
更新時(shí)間:2025-06-13
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積MOCVD
用于 led 生產(chǎn)的 turbodisc epik 868 mocvd 系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-06-13
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
提供大面積刻蝕與沉積的量產(chǎn)型解決方案，led工業(yè)要求高產(chǎn)量，高器件質(zhì)量和低購(gòu)置成本。 plasmapro 1000更好地解決了這些需求。
更新時(shí)間:2025-06-13
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
plasmapro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究、原型設(shè)計(jì)和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能工藝。
更新時(shí)間:2025-06-13
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
plasmapro 800 為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （pecvd） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用了緊湊的開(kāi)放式裝載系統(tǒng)。可實(shí)現(xiàn)大型晶圓大規(guī)模的批量生產(chǎn)和 300mm 晶圓處理。具有460mm直徑的工作臺(tái)，擁有處理整片的300mm晶圓或大批量43 x 50mm（2”）晶圓的能力， 可提供全套量產(chǎn)解決方案。plasmapro 800是的市場(chǎng)列產(chǎn)品。
更新時(shí)間:2025-06-13
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
設(shè)計(jì)pecvd工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。plasmapro 100 pecvd 由于電溫度均勻性和電
更新時(shí)間:2025-06-13
電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積ICPCVD
該icpcvd工藝模塊設(shè)計(jì)用于在低生長(zhǎng)溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜，通過(guò)高密度遠(yuǎn)程等離子體實(shí)現(xiàn)，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的薄膜質(zhì)量，同時(shí)減少基板損傷。
更新時(shí)間:2025-06-13
ICP沉積系統(tǒng)
sentech sipar icp沉積系統(tǒng)是為使用靈活的系統(tǒng)架構(gòu)的各種沉積模式和工藝開(kāi)發(fā)和設(shè)計(jì)的。該工具包括 icp 等離子體源 ptsa、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電和一個(gè)受控的真空系統(tǒng)。該系統(tǒng)將等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （pecvd） 和原子層沉積 （ald） 結(jié)合在一個(gè)反應(yīng)器中。
更新時(shí)間:2025-06-13
開(kāi)蓋等離子體沉積系統(tǒng)PECVD
sentech depolab 200 是基本的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （pecvd） 系統(tǒng)，適用于沉積用于蝕刻掩模、膜和電隔離膜以及許多其他材料的介電膜。結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)和靈活的直接加載設(shè)計(jì)。從 2 英寸至 200 毫米晶圓和樣品片的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用開(kāi)始。
更新時(shí)間:2025-06-13
8英寸電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備
shale® c系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（icp-cvd），通過(guò)電感耦合（icp）產(chǎn)生高密度等離子體，并通過(guò)電容耦合（ccp）產(chǎn)生偏壓，可實(shí)現(xiàn)低溫、高致密、低損傷、優(yōu)填充能力的薄膜沉積工藝。該設(shè)備采用了8英寸產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備所通用的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)零部件，符合semi的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，并通過(guò)了嚴(yán)苛的穩(wěn)定性和可靠性測(cè)試驗(yàn)證。
更新時(shí)間:2025-06-13
8英寸等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
shale® a系列等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（pecvd），通過(guò)平行電容板電場(chǎng)放電產(chǎn)生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較好的氧化硅、teos、bpsg、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。該設(shè)備采用了8英寸產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備所通用的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)零部件，符合semi的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，并通過(guò)了嚴(yán)苛的穩(wěn)定性和可靠性測(cè)試驗(yàn)證。
更新時(shí)間:2025-06-13
等離子體沉積ALD AD-230LP
ad-230lp是一種原子層沉積（ald）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機(jī)金屬原料和氧化劑交替供給反應(yīng)室，僅通過(guò)表面反應(yīng)進(jìn)行薄膜沉積。該系統(tǒng)具有負(fù)載鎖定室，且不向大氣開(kāi)放反應(yīng)室，因此能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜沉積的優(yōu)良再現(xiàn)性。
更新時(shí)間:2025-06-13
PD-200STL 等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)
pd-200stl是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強(qiáng)型cvd系統(tǒng)。samco的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100μm）。pd-200stl具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì)，只需要小的潔凈室空間。
更新時(shí)間:2025-06-13
PD-100ST 等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)
pd-100st是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等離子體增強(qiáng)cvd系統(tǒng)。samco的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。pd-100st具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì)，只需要小的潔凈室空間。
更新時(shí)間:2025-06-13
PD-3800L 化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)
pd-220nl 是一種負(fù)載鎖定等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (pecvd) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了pecvd的所有標(biāo)準(zhǔn)功能。可在直徑220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶(hù)友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。
更新時(shí)間:2025-06-13
PD-3800L 化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)
pd-3800l 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（pecvd）系統(tǒng)。該系統(tǒng)由于采用了大型反應(yīng)室，并通過(guò)載盤(pán)裝載多片晶圓進(jìn)行批量處理，因此產(chǎn)量較高。在直徑360mm的區(qū)域內(nèi)可以沉積出具有優(yōu)異的厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶(hù)友好的觸摸屏界面用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。
更新時(shí)間:2025-06-13
PD-2201LC 化學(xué)氣相沉積設(shè)備
pd-2201lc 是一種盒式裝載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (pecvd) 設(shè)備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)在節(jié)省空間的提下提供了pecvd的所有標(biāo)準(zhǔn)功能？稍谥睆220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。
更新時(shí)間:2025-06-13
汽車(chē)車(chē)燈濺射鍍膜系統(tǒng)
本裝置是為了在汽車(chē)用head lamp部分提高al的附著性,用plasma,al sputter,cvd法實(shí)施sio2 top coating的設(shè)備,是縮短生產(chǎn)時(shí)間,工序和佳的matching設(shè)備.
更新時(shí)間:2025-06-13
部件鍍膜設(shè)備
實(shí)現(xiàn)高大量生產(chǎn)率的高真空基礎(chǔ)in-line sputter
更新時(shí)間:2025-06-13
維意真空等離子增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積鍍膜設(shè)備支持定制
pe-cvd結(jié)構(gòu)特點(diǎn)介紹：pecvd系列真空管式高溫?zé)Y(jié)爐如圖所示,集控制系統(tǒng)與爐膛為一體；2、爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用進(jìn)口高溫合金電阻絲為加熱元件；3、高純石英管橫穿于爐體中間作為的爐膛，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，工件式樣在管中加熱，加熱元件與爐管平行，均勻地分布在爐管外，有效的保證了溫場(chǎng)的均勻性；支持定制15611171559.
更新時(shí)間:2025-06-13
GU 304不銹鋼手動(dòng)三片式高真空法蘭球閥
gu型三片式高真空(壓力)球閥用于接通或切斷真空(壓力)系統(tǒng)管路中的介質(zhì)流。應(yīng)用于真空、乳制品、酒業(yè)、生物工程、食品、制藥、飲料、化妝品及化工領(lǐng)域。適用范圍：0.6×106～1.3×10-4pa 閥門(mén)漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時(shí)間:2025-06-11
GU-KF 304不銹鋼手動(dòng)三片式高真空卡箍球閥
gu型三片式高真空(壓力)球閥用于接通或切斷真空(壓力)系統(tǒng)管路中的介質(zhì)流。應(yīng)用于真空、乳制品、酒業(yè)、生物工程、食品、制藥、飲料、化妝品及化工領(lǐng)域。適用范圍：0.1×106～1.3×10-4pa 閥門(mén)漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時(shí)間:2025-06-11
GI 304不銹鋼法蘭連接手動(dòng)高真空蝶閥
手動(dòng)高真空法蘭蝶閥用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質(zhì)為純凈空氣和非腐蝕性氣體。 適用范圍：105～1.3×10-4pa 閥門(mén)漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時(shí)間:2025-06-11

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