光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家

英國Nanobean 電子束光刻機(jī)
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2025-01-07
美Coherent 準(zhǔn)分子激光器
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2025-01-07
英國 Durham 無掩膜光刻機(jī)
nanoarch p130是科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2025-01-07
美國 OAI 光功率計(jì)
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時(shí)間:2025-01-07
美國 OAI 型UV光源
30型uv光源是高效的，可用于各種應(yīng)用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產(chǎn)生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當(dāng)?shù)臒簦òǎ。輸出功率范圍?00瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜？蛇x配遠(yuǎn)程排氣風(fēng)扇。
更新時(shí)間:2025-01-07
美國 OAI 實(shí)驗(yàn)室用手動(dòng)曝光機(jī)
oai 200型光刻機(jī)是一種具有成本效益的高性能掩模對(duì)準(zhǔn)器，采用經(jīng)過行業(yè)驗(yàn)證的組件，使oai成為光刻設(shè)備行業(yè)的導(dǎo)者。 200型是臺(tái)式面罩對(duì)準(zhǔn)器，需要小的潔凈室空間。它為研發(fā)，或有限規(guī)模，試點(diǎn)生產(chǎn)提供了經(jīng)濟(jì)的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空吸盤調(diào)平系統(tǒng)，襯底快速平穩(wěn)地平整，用于平行光掩模對(duì)準(zhǔn)和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)一微米分辨率和對(duì)準(zhǔn)精度。
更新時(shí)間:2025-01-07
美國 OAI 型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng)
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-01-07
美國 OAI 自動(dòng)化邊緣曝光系統(tǒng)
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-01-07
美國 OAI 邊緣曝光系統(tǒng)
兩種型號(hào)的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強(qiáng)度控制電源和機(jī)器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調(diào)強(qiáng)度光束。電源從200w到2,000w。強(qiáng)度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強(qiáng)度監(jiān)控。機(jī)器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應(yīng)各種各樣的襯底尺寸。
更新時(shí)間:2025-01-07
美國 OAI 光刻機(jī)
oai 5000e型大面積掩光刻機(jī)是一種先進(jìn)的高性能，全自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)器和曝光工具，可為大型平板應(yīng)用提供超精密，頂，亞微米對(duì)準(zhǔn)和分辨率。 其靈活的設(shè)計(jì)允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達(dá)300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計(jì)算機(jī)控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國Eulitha 高分辨紫外光刻系統(tǒng)
phabler 100 紫外光刻機(jī)是一套低成本的光學(xué)曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的紫外曝光機(jī)類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術(shù)，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結(jié)果非常均勻，質(zhì)量很好。
更新時(shí)間:2025-01-07
瑞士 NanoFrazor 3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 Raith 150 Two 高分辨電子束曝光系統(tǒng)
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國Raith Voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī)
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī),系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對(duì)外界環(huán)境的容忍度。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國Raith 電子束光刻機(jī)
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺(tái)，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺(tái)設(shè)計(jì)，對(duì)電子束直寫應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時(shí)間:2025-01-07
德Raith 電子束光刻機(jī)
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺(tái)，運(yùn)動(dòng)行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實(shí)現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時(shí)間:2025-01-07
瑞典 Mycronic 光刻機(jī)
主要優(yōu)勢(shì)提高分辨率 25%更佳的貼片性能 70%更快的寫入速度20%
更新時(shí)間:2025-01-07
瑞典 Mycronic 掩膜版光刻機(jī)
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機(jī) fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導(dǎo)體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時(shí)間:2025-01-07
英國Nanobean 電子束光刻機(jī)
英國nanobean nb5 電子束光刻機(jī),具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運(yùn)行時(shí)間超過93%.
更新時(shí)間:2025-01-07
美國Trion 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
minilock-phantom iii 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)。適用于單個(gè)基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進(jìn)的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時(shí)間:2025-01-07
美國Trion反應(yīng)離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機(jī)和最多四個(gè)工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對(duì)接，既能夠以生產(chǎn)模式運(yùn)行，也能夠作為單個(gè)系統(tǒng)獨(dú)立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實(shí)驗(yàn)室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機(jī)進(jìn)行基片傳送)。
更新時(shí)間:2025-01-07
美國Trion 離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動(dòng)化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置？蓪(duì)單個(gè)基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價(jià)格適宜且占地面積小。
更新時(shí)間:2025-01-07
美國Trion 薄膜沉積系統(tǒng)
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺(tái)上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨(dú)特的反應(yīng)器設(shè)計(jì)可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺(tái)階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實(shí)驗(yàn)室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設(shè)施和工藝標(biāo)準(zhǔn)要求。
更新時(shí)間:2025-01-07
美國Trion 高密度化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
orion hdcvd 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在惰性氣體進(jìn)入口安裝感應(yīng)線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當(dāng)惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時(shí)間:2025-01-07
德Zeiss 電子束直寫儀
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結(jié)構(gòu)（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件，光子晶體，低維半導(dǎo)體等沿域。
更新時(shí)間:2025-01-07
俄羅斯 Optosystem 準(zhǔn)分子激光器
俄羅斯 optosystem 準(zhǔn)分子激光器：cl7000, 準(zhǔn)分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應(yīng)用上，準(zhǔn)分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
更新時(shí)間:2025-01-07
英國 DENTON 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺(tái)
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺(tái),提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時(shí)間:2025-01-07
英國 Denton 熱蒸發(fā)濺射儀
denton 熱蒸發(fā)濺射儀dv-502b，在大氣和高真空之間快速循環(huán)。
更新時(shí)間:2025-01-07
法Plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機(jī)
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機(jī)meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導(dǎo)量子實(shí)驗(yàn)室均使用該設(shè)備制備超導(dǎo)al結(jié)（量子比特和約瑟夫森結(jié)）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復(fù)性超導(dǎo)結(jié)。
更新時(shí)間:2025-01-07
臺(tái)式三維原子沉積系統(tǒng)ALD
美arradiance 臺(tái)式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對(duì)溫度影響減少到0.03%以下。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 Sentech 等離子體增強(qiáng)--原子層沉積系統(tǒng)
德國 sentech pe-ald 等離子體增強(qiáng)--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實(shí)現(xiàn)。等離子增強(qiáng)原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強(qiáng)ald性能的先進(jìn)方法。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國KSI 四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時(shí)使用4只換能器
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 KSI 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時(shí)使用8只換能器，能最大限度的確？焖賵D像采集和高效能。
更新時(shí)間:2025-01-07
KSI 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v1000e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，用于研發(fā)和生產(chǎn)部門檢測(cè)特大件樣品
更新時(shí)間:2025-01-07
德國KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v700e 單探頭超聲波掃描顯微鏡，用于檢測(cè)大件樣品
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 KSI 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v400e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，是實(shí)驗(yàn)室、研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)線主流機(jī)型。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v300e 單探頭超聲波掃描顯微鏡，掃描機(jī)械機(jī)構(gòu)
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 Sentech 等離子沉積機(jī)
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機(jī)，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 Sentech 等離子沉積機(jī)
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機(jī),。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控?zé)o油真空系統(tǒng)采用先進(jìn)的森泰克控制軟件，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 Sentech 等離子沉積機(jī)
pecvd depolab 200 等離子體沉積機(jī),將平行板等離子體源設(shè)計(jì)與直接負(fù)載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機(jī)、低頻電源和額外的燃?xì)夤艿馈?/div> 更新時(shí)間:2025-01-07
德國 Sentech 等離子刻蝕機(jī)
sentech etchlab200 經(jīng)濟(jì)型反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(可升級(jí))，包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 Sentech 等離子刻蝕機(jī)
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機(jī)是一種將rie平行板電設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)與直接負(fù)載的低成本設(shè)計(jì)相結(jié)合的直接負(fù)載等離子體蝕刻機(jī)系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 Sentech 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 Sentech 等離子刻蝕機(jī)
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機(jī)，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢(shì)。它以ptsa等離子體源、動(dòng)態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進(jìn)的sentech 控制軟件為基礎(chǔ)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-01-07
德國 Sentech 等離子體 ICP 干法刻蝕機(jī)
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)臺(tái)，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動(dòng)態(tài)溫控。
更新時(shí)間:2025-01-07
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000系列紫外單面光刻機(jī)，主要型號(hào)有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學(xué)院制造生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-01-07
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/a8 紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)。曝光面積： 200mm×200mm
更新時(shí)間:2025-01-07
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000a 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：150mmx150mm
更新時(shí)間:2025-01-07
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：100mmx100mm
更新時(shí)間:2025-01-07
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動(dòng)化程度高）和高校教學(xué)科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時(shí)間:2025-01-07

最新產(chǎn)品

熱門儀器： 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計(jì) 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗(yàn)機(jī) 酸度計(jì)（PH計(jì)） 離心機(jī) 高速離心機(jī) 冷凍離心機(jī) 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑